Semiconductor Devices
Halbleiter Bauelemente
6 LPWiSeDEwird nicht mehr angeboten
Inhalte
• Halbleiter Grundlagen (Kristallstruktur, Bändermodell, Leitungseigenschaften, Dotierung) • Halbleitergleichungen (Diffusions-Drift-Modell) • Der PN Übergang • Wirkungsweise von Dioden (Si PN Diode, Schottky Diode, Tunneldiode, Zenerdiode, etc.) • Der Bipolar Transistor (BJT) (Herstellung, technologische Merkmale, Dimensionierung) • Modellierung des BJT (Ersatzschaltbilder, Ebers Moll, SPICE Parameter) • Simulation des BJT in SPICE • Feldeffekt Transistoren (JFET, MOSFET, MESFET) • Modellierung der FET (Ersatzschaltbilder, Simulation in SPICE) • Leistungshalbierer (IGBT, Thyristoren, Leistungs-MOSFET) • Transistoren in MSI, VLSI und ULSI Schaltungen • Speicherschaltungen SRAM, DRAM, ROM, EPROM, EEPROM
Lernziele
Die Studierenden kennen die Funktions- bzw. Wirkungsweise der gängigen elektronischen Bauelemente, die in modernen elektronischen Schaltungen zum Einsatz kommen. Sie sind vertraut mit der physikalischen Wirkungsweise von Halbleiter Bauelementen und verfügen über die Grundlagen deren mathematischer Modellierung. Sie sind in der Lage derartige Bauelemente und das Schaltungsumfeld zu dimensionieren.
Prüfungsleistung
• mündliche Prüfung, 60 min.
Literatur (2)
- Muller, Kamins: "Device Electronics for Integrated Circuits", J.Wiley & Sons, New York, 2003
- Sze: "Physics of Semiconductor Devices", J.Wiley & Sons, New York, 2006
Bemerkungen
Bei Bedarf stehen englisch-sprachige Dozenten zur Verfügung. • Studiengang Physics M.Sc.: Wahlpflichtmodul im Komplex „Experimental/Applied Physics“ • Studiengang Physik B.Sc.: Wahlpflichtmodul im Komplex „Physikalisches Vertiefungsfach“
Quelle: Modulbeschreibung der BTU · abgerufen 18.10.2026Original