Werkstoffe und Basistechnologien
Semiconductor Materials and Technologies
6 LPSoSeDE
Inhalte
Basistechnologien der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik • Grundlagen und Aufbau (Struktur der Materie, Kristallographie, Reinraum, Vakuumprozesse) • Verfahren und Teilschritte der Fertigungstechnologien (Reinigung, Ätzen, Abscheidung von Schichten ,Oxidation, CVD, Epitaxie, Bedampfen, Sputtern, Verbindungstechniken) • Verfahren zur Herstellung diskreter Bauelemente • Blocktechnologien (CMOS, MEMS, BiCMOS, LIGA, AIII-BV, organische Halbleiter) • Zuverlässigkeit, Qualitätssicherung, Ausbeute, Fehleranalyse Labor (Reinraumpraktikum) • Laborübungen BT01-BT07: (Reinigung, Hochtemperaturschritte, Schichtabscheidung, Lithographie, Ätzprozesse) Werkstoffe der Elektrotechnik und Elektronik • Elastische Eigenschaften von Werkstoffen • Plastische Eigenschaften von Werkstoffen • Periodensystem, chemische Bindung • Kristallstruktur • Übung zu den Inhalten 1 bis 5 • Metalle, allgemeine Eigenschaften • Metalle, elektrische Leitung • Halbleiter 1: Element- und Verbindungshalbleiter • Halbleiter 2: Dotierung • Magnetismus, Supraleitung • Übung zu den Inhalten 7 - 11 • Halleffekt, Kreuzeffekte (z. B. Thermoelemente ) • Optische Komponenten • Prüfungsvorbereitung
Lernziele
Nach der Teilnahme am Modul sind die Studierenden in der Lage • eine Auswahl und eine sichere Anwendung geeigneter Methoden durchzuführen • Komplexe Aufgabenstellungen zu analysieren und zu strukturieren • Technischen Problemstellungen zu analysieren und zu strukturieren • logisch, analytisch und konzeptionell zu denken • Verständliche Darstellung und Dokumentation von Ergebnissen zu erstellen • Kenntnisse von praxisrelevanten Aufgabenstellungen • Bedeutende technische Entwicklungen zu erkennen • Fertigungsumgebung zu bewerten • technologischen Teilschritte und Verfahren im Zusammenhang mit den zur Anwendung kommenden Werkstoffen zu verstehen • mathematisch-physikalischen Modellen und technischen Zielstellungen zu erkennen und zu bewerten • Grundkenntnisse zur Netzwerkanalyse anzuwenden • Fachmethodik der Elektrotechnik anzuwenden • Auswahl, Bewertung geeigneter Werkstoffe • Werkstoffanalytik durchzuführen • quantitativer Modelle, Anpassung der Parameter durchzuführen • unter den Aspekten der Energieefiizienz, Sicherheit, ökonomischer und ökologischer Parameter eine sichere Bewertung durchzuführen
Prüfungsleistung
Die Modulprüfung besteht aus den separaten schriftlichen und mündlichen Teilprüfungen • Bewertung der Lösungen der drei Seminaraufgaben (33,3%) • vier Praktikumsberichte (ca. 15-20 Seiten) mit Testat (jeweils 10 min.) (33,3%) • mündliches Abschluss-Kolloquium (20 min.) (33,3%) Weitere Details werden zum Semesterstart bekannt gegeben.
Literatur (11)
- Tafel, Projektor, Visualizer, Arbeitsblätter
- U. Hilleringmann: "Silizium-Halbleitertechnologie", Teubner, 2014
- Y. Shacham-Diamand, T. Osaka, M. Datta, T. Ohba editors: "Advanced Nanoscale ULSI Interconnects", Springer, 2014
- W. Menz, J. Mohr, O. Paul: "Mikrosystemtechnik für Ingenieure", Wiley-VCH, 2012
- D. Widmann, H. Mader, H. Friedrich: "Technology of integrated circuits", Springer, 2010
- Tafel , Beamer, E-Learning, Script
- H. Worch, W. Pompe, W. Schatt, Werkstoffwissenschaft, WILEY-VCH, Weinheim, 2011
- J. Reissner, Werkstoffkunde für Bachelors, Hanser, München / Wien, 2010
- M. Merkel, K. H. Thomas: "Taschenbuch der Werkstoffe", Hanser, München, 2008
- H. Fischer, H. Hoffmann, J. Spindler, Werkstoffe in der Elektrotechnik, Hanser, München, 2007
- G. Fasching, Werkstoffe für die Elektrotechnik, Springer, Berlin, 2005
Bemerkungen
Intensivmodell - dual praxisintegrierend - Dual programme with work experience
Quelle: Modulbeschreibung der BTU · abgerufen 28.09.2026Original