Applied Physics B
Angewandte Physik B
6 LPWiSeDEwird nicht mehr angeboten
Voraussetzungen
Empfohlen, im Wortlaut
Schulmathematik
Inhalte
Die Entwicklung von monolithisch integrierten Systemen erfordert umfangreiche Simulationen auf verschiedenen Hierarchie-Ebenen in den die elektronischen Bauelemente als mathematisches Modell beschrieben sind. Zu diesem Zwecke werden in diesem Modul die folgenden Bauteile und Themen detailliert erarbeitet: p-n Übergang, Dioden, Bipolar-, FET-, MESFET-, MOSFET- bzw. CMOS-Transistoren, die monolithische Integration, RF-Modellierung, Simulatoren
Lernziele
Kennenlernen der wichtigsten Halbleiterbauelemente mit entsprechender Modellierung
Prüfungsleistung
Schriftliche Prüfung à 60 Minuten, am Ende des Semesters
Literatur (1)
- S. M: Sze, Semiconductor Devices; P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor Device Modeling with Spice; Vorlesungsskript
Bemerkungen
Die Vorlesung kann bei Bedarf auch in Englisch gelesen werden.
Quelle: Modulbeschreibung der BTU · abgerufen 18.10.2026Original