Halbleiterphysik und Bauelementanwendungen
Semiconductor Physics and Device Applications
6 LPunregelmäßigDEwird nicht mehr angeboten
Voraussetzungen
Empfohlen, im Wortlaut
Kenntnis des Stoffes des Moduls 13-2-01 : Theoretische Physik G1
Inhalte
Kristall- und Bandstruktur der wichtigsten Halbleiter, quasi-klassische Näherung, Drift-Diffussionsmodell mit Anwendungen: pn-Übergang, Bipolartransistoren, MOS-Kondensatoren, Feldeffekttransistoren, Heterostrukturen, Heterostrukturlaser, Quantentransport
Lernziele
Ausgehend von einer elementaren Darstellung von Halbleitern sollen die wichtigsten theoretischen Grundlagen zur Beschreibung von Halbleiterbauelementen hergeleitet werden. Diese werden durch Anwendung auf die wichtigsten Grundstrukturen illustriert.
Prüfungsleistung
Mündliche Prüfung in Form von 2 Vorträgen innerhalb des Semesters
Literatur (1)
- R. Paul: Elektronische Halbleiterbauelemente, Teubner Studienskripte (1992); G. Czycholl: Theoretische Festkörperphysik, Vieweg (2000); S. M. Sze: Semiconductor Devices, John Wiley & Sons (1996)
Bemerkungen
Wahlmodul im Vertiefungsfach "Angewandte Physik" und "Theoretische Physik" des Master-Studiengangs Physik
Quelle: Modulbeschreibung der BTU · abgerufen 15.10.2026Original